型号 分类 制造商 库存 起订 价格 链接
BFP740FESD RF MOSFET Infineon Technologies 贸泽采购

RF MOSFET

定义：射频MOSFET（Radio Frequency Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是专为高频应用设计的功率MOSFET，常用于射频放大器、无线通信系统和射频电源。

关键特性

  • ✅ 高工作频率（可达GHz级）
  • ✅ 低栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）
  • ✅ 低导通电阻（Rds(on)）
  • ✅ 良好的热稳定性与可靠性
  • ✅ 常见封装：SOT-23, DFN, SOIC, 或陶瓷封装

典型应用

  • 📡 射频功率放大器（PA）
  • 📡 基站与无线基础设施
  • 📡 RFID系统
  • 📡 工业加热与等离子发生器

常用型号示例

型号厂商频率范围主要用途
BF998NXPUp to 1 GHzUHF放大
CGH40010FCree/WolfspeedDC-4 GHz高功率PA
PMR4225STMicroelectronicsUp to 2.5 GHzISM频段
提示：布局时需注意寄生电感与电容，使用短走线、良好接地及阻抗匹配网络。
如果您对“RF MOSFET”感兴趣并希望了解更多关于该产品的信息，欢迎联系进行样品申请和技术咨询。您可以通过拨打+86-10-8639 8446的电话、添加微信号eeanycn或QQ2504303115或发送邮件至support@eeany.cn与我们取得联系。我们将竭诚为您提供专业的技术支持和服务。
本月热门搜索
新品推荐
联系方式
地址：北京市朝阳区建国门外大街9号2号楼603室
电话：+86-10-8639 8446
新闻投稿：news@eeany.cn
市场合作：marketing@eeany.cn
产品咨询：sales@eeany.cn
技术支持：support@eeany.cn
广告投放：ad@eeany.cn
搜索提示

您可以尝试使用以下方式获得更精确的搜索结果：

  • • 使用完整的产品型号
  • • 包含制造商名称
  • • 尝试不同的关键词组合