型号 分类 制造商 库存 起订 价格 链接
CY15B104Q5-BNZSXC MRAM Cypress Semiconductor 贸泽采购

MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory)

原理：基于磁阻效应存储数据，利用电子自旋方向表示0和1。

特点：

  • 非易失性（断电不丢失数据）
  • 高速读写（接近SRAM）
  • 高耐久性（>10^15 次擦写）
  • 低功耗
  • 抗辐射、宽温工作

应用：嵌入式系统、工业控制、航天航空、IoT、缓存替代等。

类型：Toggle MRAM, STT-MRAM (自旋转移矩), SOT-MRAM (自旋轨道矩)。

优势 vs 其他存储器：

特性 MRAM SRAM DRAM Flash
非易失性 是 否 否 是
速度 快 极快 快 慢
寿命 极高 无限 有限 有限

挑战：密度较低、成本较高、写干扰问题。

如果您对“MRAM”感兴趣并希望了解更多关于该产品的信息，欢迎联系进行样品申请和技术咨询。您可以通过拨打+86-10-8639 8446的电话、添加微信号eeanycn或QQ2504303115或发送邮件至support@eeany.cn与我们取得联系。我们将竭诚为您提供专业的技术支持和服务。
本月热门搜索
新品推荐
联系方式
地址：北京市朝阳区建国门外大街9号2号楼603室
电话：+86-10-8639 8446
新闻投稿：news@eeany.cn
市场合作：marketing@eeany.cn
产品咨询：sales@eeany.cn
技术支持：support@eeany.cn
广告投放：ad@eeany.cn
搜索提示

您可以尝试使用以下方式获得更精确的搜索结果：

  • • 使用完整的产品型号
  • • 包含制造商名称
  • • 尝试不同的关键词组合