类型：N沟道 / P沟道
引脚：栅极(G)、漏极(D)、源极(S)
工作原理：通过栅-源电压(VGS)控制漏-源电流(IDS)，耗尽层调节导电沟道宽度。
特点：高输入阻抗、低噪声、电压控制型器件、常闭型（耗尽型）。
应用：小信号放大、模拟开关、阻抗匹配、低噪声前置放大器。
注意：栅极必须反偏（VGS ≤ 0 对于 N-JFET），避免正向导通损坏器件。
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