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IGBT7 1200V IGBT Discrete Infineon Technologies 贸泽采购

IGBT Discrete

Description: Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) in discrete package.

Common Packages: TO-220, TO-247, TO-3P.

Applications: Motor drives, inverters, power supplies, and high-voltage switching.

Key Parameters:

  • Collector-Emitter Voltage (VCE)
  • Gate-Emitter Voltage (VGE)
  • Collector Current (IC)
  • Switching Speed
  • On-State Voltage (VCE(sat))

Typical Manufacturers: Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji.

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