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MT40A2G4WE-083E:B TR
- MT40A2G4WE-083E:B TR
- 制造商：
- Micron Technology
- 描述：
- Micron Technology 动态随机存储器(DRAM) 4bit 1.26V 1.14V 8Gb （2G x 4） MT40A2G4WE-083E:B TR
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 | 166.2627 |
- 封装：
- FBGA-78
- 分类：
- 存储器 / 存储器 / 动态随机存储器(DRAM)
- 含铅：
- 10-15工作日
- 起订量：
- 6
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 | 166.2627 |
Micron Technology 的 MT40A2G4WE-083E:B TR 的主要作用
无
Micron Technology 的 MT40A2G4WE-083E:B TR 的特征
无
Micron Technology 的 MT40A2G4WE-083E:B TR
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| 编号 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|
| 1 | 1 | 166.2627 |